詳細(xì)說明了基本的MR和GMR讀取結(jié)構(gòu)。對(duì)于MR傳感器，恒定電流穿過鎳/鐵（NiFe）合金膜，在材料中產(chǎn)生磁場(chǎng)。軟磁合金作為傳感器接近磁盤上的磁化區(qū)域，磁化區(qū)域的新磁場(chǎng)結(jié)果在NiFe中的磁場(chǎng)方向發(fā)生變化膜，產(chǎn)生電壓變化。如圖所示，該電壓磁盤磁場(chǎng)的變化是非線性的，并且設(shè)計(jì)一個(gè)的電子系統(tǒng)來解釋這些磁信號(hào)將很困難。然而，通過將層磁性軟的膜放入與NiFe MR膜接近，但分開通過高物從它的方向iFe和NiFe中的磁化強(qiáng)度保持在45°附近電壓的變化是線性的，并且是的。標(biāo)記為SAL（軟相鄰層）的結(jié)構(gòu)是是當(dāng)今行業(yè)大多數(shù)MR負(fù)責(zé)人的基礎(chǔ)。讀出放大器和數(shù)據(jù)通道設(shè)計(jì)12數(shù)據(jù)區(qū)域密度投影磁頭的演變。使用SAL MR磁頭的HDD可以使用。隨著面密度的持續(xù)增加，MR頭終會(huì)電壓變化，導(dǎo)致較低的信號(hào)幅度。此下降發(fā)生在5吉比特/平方英寸附近。新的傳感器設(shè)計(jì)，GMR磁頭的電壓變化很大面密度下的信號(hào)幅度過5吉比特/英寸2。在GMR傳感器中，兩張膠片分開通過薄的導(dǎo)電墊片可以提供對(duì)磁盤磁場(chǎng)的電壓變化響應(yīng)。 GMR傳感器利用了電子，并遵循傳導(dǎo)的原理電子的自旋方向平行于電影的磁方向可以通過結(jié)構(gòu)，不產(chǎn)生電壓變化。